総会および学術講演大会
学術講演テーマ： 機能材料と材料評価
特別講演テーマ： 光触媒技術の展開 （横浜国立大学） 村林 眞行
日 時： 平成１３年５月２５日（金） 9:15-17:10
主 催： 日本材料科学会（東京都千代田区四番町８ー１ 裳華房内）
会 場： 工学院大学１１階第５会議室（新宿区西新宿 1-24-2）
参 加 費： 4000円（含予稿集代）但し、登壇学生（院・学部）は3000円（私費参加学生は2000円）
登壇以外の学生は参加費無料（予稿集代 1000円）
1. ［9:15－9:25］ 半導体レーザによる金属薄板の曲げ加工
(千葉工大
院，工＊)
○斎藤昌利，宮﨑俊行＊，三須直志＊，吉岡俊朗＊
2. ［9:25－9:40］
化学エッチングによるPtドープシリコン中水素関連欠陥の形成過程
(慶應大 院)
○八郷豪人，松山一茂，桑野 博
3.
［9:40－9:55］ ｉn-situ BドープアモルファスSiGe膜の固相結晶化と電気的特性
(慶應大 院) ○横山成之，高田英明，桑野 博
4. ［9:55－10:05］
気相合成法によるダイヤモンド・メッシュ(Diamond Mesh)の作製
(工学院大 工) 吉江 治
5. ［10:05－10:15］
CVDで作製した炭素系膜のラマン分光法による評価
(千葉工大 院，工＊)
○貝沼数敏，坂本幸弘＊，高谷松文＊
6. ［10:15－10:25］
燃焼炎法による炭素系材料の作製とその発光スペクトル
(千葉工大 院，工＊)
○千葉善直，貝沼数敏，坂本幸弘＊，高谷松文＊
7. ［10:25－10:35］
異なる反応ガス系により作製したCVDダイヤモンドのFE特性
(千葉工大 院，工＊)
○渡邉芳則，坂本幸弘＊，高谷松文＊
8. ［10:35－10:45］ アルミニウムおよびアルミニウム合金のラジカル窒化
(千葉工大 院，工＊)
○田幡和良，坂本幸弘＊，高谷松文＊
9. ［10:45－10:55］
Li2O-B2O3-Al2O3(Ga2O3)系ガラスの作製と光学特性の評価
(物質・材料研究機構) ○宮崎昭光,木村秀夫
10.［10:55－11:05］
イオンビームスパッタによるSiCの作製
(慶應大 理工) ○石井啓太，鈴木正彰，太田英二
［11:05－11:15］ 休
憩
11.［11:15－11:30］
球状黒鉛鋳鉄のレーザ援用鋳ばり取り
(能開大，川内能開短大＊，千葉工大 工＊＊) ○片岡義博，徳永
剛，芦中辰也＊，宮﨑俊行＊＊
12.［11:30－11:40］
強磁性高温超伝導体RuSr2GdCu2O8の電子物性に対する磁気希釈効果
(慶應大
理工) ○伊藤秀樹，的場正憲
13.［11:40－11:55］
ペロブスカイト型マンガン酸化物における磁気希釈とハーフメタル特性
(慶應大 理工) ○加納忠彦，的場正憲
14.［11:55－12:05］
チタン単結晶(0001)の初期酸化II
(千葉工大 工，アルバック・ファイ㈱＊，東北大
多元物質科学＊＊，熊本大 工＊＊＊，)
○水野善之，田中彰博＊，高桑雄二＊＊，頓田英樹＊＊＊，山内康弘，本間禎一
［12:05－12:40］
『総会』
［13:30－14:30］
『特別講演』 光触媒技術の展開 （横浜国大院）村林眞行
15. ［14:30－14:45］室温パルス電着法によるCdS薄膜の作製と評価
(慶應大 理工)
○真垣葉子，武藤準一郎
16.
［14:45－14:55］ケルビンプローブ法によるITO/TPD，TPD/Alq3，Alq3/Al界面の仕事関数
(慶應大 理工)
○岸野賢悟，太田英二
17.
［14:55－15:10］二酸化チタンを用いたトリクロロエチレンの気相光触媒分解－その反応機構
(横浜国大 院) ○尾崎成子，趙蓮花，伊藤公紀，村林眞行
18. ［15:10－15:25］異方性結晶における転位応力場の応力関数について
(電通大）皆川七郎
19. ［15:25－15:40］流動層および充填層を併用したAl粉末の2段階窒化反応
(新潟大
工)西沢 崇，○堀田憲康，鍋谷幸一，米澤 歴
［15:40－15:50］ 休
憩
20. ［15:50－16:00］真空摺動材料の表面形状機能
(物質･材料研究機構 ナノマテリアル研) ○笠原章，後藤真宏，土佐正弘，吉原一紘
21. ［16:00－16:10］ねじれ接合基板上薄膜の表面モルフォロジーの解析
(電通大 電通) ○大林克至，新谷 一人
22. ［16:10－16:25］非弾性電子トンネル分光法によるハメット指示薬と金属酸化物との相互作用の研究
(電通大 電通) 高橋晴夫，○Halal El Mouloudi，土師英樹，大家明広，伊理武男
23. ［16:25－16:40］硫黄処理InP{111}表面の構造と電子状態
(静岡大 電子研)
○福田安生，佐野結香，眞田則明，鈴木佳子，安間義和
24. ［16:40－16:55］窒化ケイ素の焼結収縮挙動
(横浜国大
院，(財)ﾌｧｲﾝｾﾗﾐｯｸｾﾝﾀｰ＊) ○外山正基，多々見純一，米屋勝利，目黒竹司，内藤牧男＊，堀田 禎＊
25. ［16:55－17:10］Al－MO(M＝Ca，Sr，Ba)系の直接窒化反応挙動
(横浜国大 院)
○若松 健，多々見純一，米屋勝利，目黒竹司
総会および学術講演大会
学術講演テーマ： 機能材料と材料評価
特別講演テーマ： 新世紀構造材料研究 （金属材料技術研究所） 佐藤 彰
[9:00-10:00]
1. 加工による単結晶 MnZn
フェライトの磁気特性変化
（千葉工大）○武井紀彦、宮崎俊行、三須直志、吉岡俊朗、千葉請公二、 奥空紀明
2. レーザー光による炭素鋼の焼入れ・焼戻し
（能開大、川内能開短大*、千葉工大**）○片岡義博、徳永 剛、芦中辰也*、宮崎俊行**
3. 単結晶シリコンの摩擦
（千葉工大、日本工大*）○山下耕作、宮崎俊行、三宅正二郎*、三須直志、大谷 親
4. 立方晶スピネル型酸化物
Mn(1.5-0.5x)Co(1+0.5x)Ni0.5O4
(0≦x≦1)の焼結体作製と電気的特性
（横浜国大、テクノ・セブン（株）*）
○森田高章、横山 隆、多々見純一、米屋勝利、目黒竹司、阿部喜昭*
5. 真空摩擦特性に及ぼすステンレス鋼の表面性
（金材技研）○笠原 章、土佐正弘、吉原一紘
［10:00-11:00］
6.電子線誘起SiO2 分解による Si ナノ結晶の創製
（金材技研）○竹口雅樹、古屋一夫
7.高温超電導体YBa2Cu3O7-δ
への元素置換効果
（電通大） ○岡崎良司、宇都宮誉志紀、阿部信弘、伊理武男
8.SiOx 蒸着膜の光学特性
（慶大理工）◯岡田健見、太田英二
9.ケルビン法を用いた Alq3
薄膜の仕事関数の測定
（慶大理工）○岸野賢悟、仲田亮哉、太田英二
10.プロトン照射 n 型 Si
中のトラップ準位
（慶大理工）○小黒伸顕、太田英二
［11:00-11:10］休憩
［11:10-12:10］
11. 化学エッチングによる白金ドープシリコン中水素関連欠陥の形成および熱処理挙動
（慶大理工）○松山一茂、桑野 博
12. in-situ
リンドープ粗面ポリシリコン形成に与える内部結晶粒の影響
（慶大理工） ○千葉 剛、伊藤 雄司、桑野 博
13. n 型 Ag2+δ Te
薄膜の作製及び電気的性質
（慶大理工）○中尾田隆、太田英二
14. 新しい強相関電子系熱電変換材料の探索
（慶大理工）○岡部博孝、阿波連知子、的場正憲
15. 多元系層状磁性半導体の設計
（慶大理工、東工大応用セラミックス研*） ○神原陽一、的場正憲、伊藤 満*
[12:30-12:45］ 『総会』
［13:30-14:30］ 『特別講演』新世紀構造材料研究 （金属材料技術研究所）佐藤
[14:30-15:30]
16. 蒸着 CdSe
膜の作製と評価
（慶大理工）○黒川敦雄、武藤準一郎
17.
電着 HgCdSe 膜を用いた光電気化学太陽電池
（慶大理工）蔵重雅章、○武藤準一郎
18. ポリイミド LB 薄膜の熱分解による SiC
の成長
（慶大理工）○鈴木正彰、太田英二
19.
ZrO2の浮上式還元窒化法による ZrN
粉末の合成とその特性
（新潟大工） ○飯干洋史、内山 明、大嶋貴弘、堀田憲康
20.
TiO2の浮上式還元窒化法による TiN
粉末の合成とその特性
（新潟大工） ○大嶋貴弘、鍋谷幸一、飯干洋史、堀田憲康
［15:30－15:50］ 休憩
［15:50－16:50］
21. 窒化ケイ素系セラミックスの焼結に及ぼすチタニア添加の影響
（横浜国大）○野口和則、米屋勝利、多々見純一、目黒竹司
22. 窒化物系焼結体基板上へのダイヤモンド薄膜の合成
（工学院大工、工学院大総研*）○吉江 治、小坂雅夫、木村裕二*、高野俊信
23.
チタニウム単結晶 (0001)
の初期酸化
（日本バルカー工業（株）、アルバック・ファイ（株）*、東北大表面科学計測研**、千葉工大***）
◯水野善之、田中彰博*、高桑雄二**、石田顕史**、高野智陽***、山内康弘***、本間貞一***
24. 薄膜のひずみ緩和機構に及ぼす表面ステップの影響（分子動力学シミュレーション）
（電通大） ○ 本多敦史、新谷一人
25.
燃焼炎法により作成した炭素膜のラマン分光分析による評価
（千葉工大、日本電子工業*） ○ 貝沼数敏、千葉善直、坂本幸弘、高谷松文、舟木義行*
[16:50-17:30]
26.
超音波振動による結晶微細化と微細化機構
（金材技研、新潟大*）○大澤嘉昭、高森 晋、佐藤 彰、大橋 修*
27.
大気中での燃焼炎法による炭素膜の作製
（千葉工大、日本電子工業*）○坂本幸弘、高谷松文、貝沼数敏、千葉善直、舟木義行*
28.InP(001) 薄膜 layer by layer
成長に関する研究 （静岡大）
○福田安生、熊野裕二、鈴木佳子、真田則明
以上